《半導體》台積電、ARM聯手7奈米FinFET製程技術

全球IP矽智財授權領導廠商ARM與台積電(2330)今(15)日共同宣布一項為期多年的協議,

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,針對7奈米FinFET製程技術進行合作,

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,包括支援未來低功耗、高效能運算系統單晶片(SoC)的設計解決方案。這項新協議將擴大雙方長期的合作夥伴關係,

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,推動先進製程技術向前邁進,

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,超越行動產品的應用並進入下一世代網路與資料中心的領域。另外,

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,這項協議延續先前採用ARM Artisan基礎實體IP之16奈米與10奈米FinFET的合作。ARM執行副總裁暨產品事業群總經理Pete Hutton表示,

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,既有以ARM為基礎的平台已展現提升高達10倍運算密度的能力,

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,支援特定資料中心的工作負載,未來ARM特別為資料中心與網路架構量身設計,並針對台積公司7奈米FinFET進行優化的技術,將協助雙方客戶在各種不同效能產品上皆能使用業界最低功耗的架構。台積公司研究發展副總經理侯永清表示,台積公司持續投入先進製程技術的研發以支援客戶事業的成功,藉由7奈米FinFET製程,公司的製程與設計生態環境解決方案已經從行動擴大到高效能運算的應用。客戶設計的下一世代高效能運算系統單晶片將受惠於台積公司領先業界的7奈米FinFET製程。相較於10奈米FinFET製程,7奈米FinFET製程將在相同功耗下提供更多的效能優勢,或在相同效能下提供更低的功耗。(時報資訊),

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